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4342811Imagen MR850ON Semiconductor

MR850

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MR850
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    MR850.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    3A
  • Tensión - Desglose
    DO-201AD
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    300ns
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    MR850
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 50V 3A Through Hole DO-201AD
  • configuración de diodo
    10µA @ 50V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.25V @ 3A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    50V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 125°C

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