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2172355Imagen MRA4006T3GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MRA4006T3G

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125000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    MRA4006T3G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 1A SMA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MRA4006T3G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    800V
  • Paquete del dispositivo
    SMA
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Otros nombres
    MRA4006T3GOS
    MRA4006T3GOS-ND
    MRA4006T3GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    21 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount SMA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 800V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    MRA4006

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Descripción: DIODE GEN PURP 300V 1A SMA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
MRA4005T3G

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN PURP 300V 1A SMA

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