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MTD6P10E

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Especificaciones

Número de pieza

MTD6P10E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MTD6P10E.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

660 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.75W (Ta), 50W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

MTD6P10EOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

P-Channel 100V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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