MTP2P50E

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Especificaciones

Número de pieza

MTP2P50E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 500V 2A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MTP2P50E.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

6 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

75W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

MTP2P50EOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1183pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

P-Channel 500V 2A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

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Envío
Forma de pago

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31/03/2025

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