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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > MUN5137T1

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3372702

Imagen MUN5137T1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN5137T1

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Especificaciones

Número de pieza

MUN5137T1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MUN5137T1.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SC-70-3 (SOT323)
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Potencia - Max

202mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

MUN5137T1OS
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

MUN51**T

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