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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > MUN5214T1G

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Imagen MUN5214T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN5214T1G

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Especificaciones

Número de pieza

MUN5214T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MUN5214T1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SC-70-3 (SOT323)
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

202mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

MUN5214T1GOS
MUN5214T1GOS-ND
MUN5214T1GOSTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

MUN52**T

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