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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > MUN5311DW1T1G

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Imagen MUN5311DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN5311DW1T1G

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Especificaciones

Número de pieza

MUN5311DW1T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MUN5311DW1T1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

250mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

MUN5311DW1T1GOSDKR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

MUN53**DW1

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