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4224050Imagen MUR8100EAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUR8100E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MUR8100E
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    MUR8100E.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.8V @ 8A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1000V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220-2
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    SWITCHMODE™
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    100ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2
  • Otros nombres
    MUR8100EFS
    MUR8100EFS-ND
    MUR8100EOS
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1000V 8A Through Hole TO-220-2
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    25µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    8A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    MUR8100

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