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3337633Imagen MURHB860CTT4GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MURHB860CTT4G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MURHB860CTT4G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MURHB860CTT4G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.8V @ 4A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    D2PAK-3
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    MEGAHERTZ™
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    35ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    MURHB860CTT4GOSCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    2 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 4A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    4A
  • Número de pieza base
    MURHB860CT

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