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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > MVSF2N02ELT1G

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Imagen MVSF2N02ELT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MVSF2N02ELT1G

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Especificaciones

Número de pieza

MVSF2N02ELT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MVSF2N02ELT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

MVSF2N02ELT1G-ND
MVSF2N02ELT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.5nC @ 4V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Ta)

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