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Imagen NCP5109BMNTWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NCP5109BMNTWG

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Especificaciones

Número de pieza

NCP5109BMNTWG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRIVER HI/LO 600V 10DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NCP5109BMNTWG.pdf
Suministro de voltaje

10 V ~ 20 V
Paquete del dispositivo

10-DFN (3x3)
Serie

-
Tiempo de subida / bajada (típico)

85ns, 35ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

10-VFDFN Exposed Pad
Otros nombres

NCP5109BMNTWGOSTR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 125°C (TJ)
estilo de la llave

2
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tensión lógica - VIL, VIH

0.8V, 2.3V
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Non-Inverting
High Voltage - Máx (Bootstrap)

200V
Tipo de Puerta

IGBT, N-Channel MOSFET
Configuración impulsada

Half-Bridge
Descripción detallada

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 10-DFN (3x3)
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero)

250mA, 500mA
Corriente de carga

Independent

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