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NCV1413BDR2G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NCV1413BDR2G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NCV1413BDR2G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Tipo de transistor
    7 NPN Darlington
  • Paquete del dispositivo
    16-SOIC
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    NCV1413BDR2GOSCT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    30 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    -
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    500mA
  • Número de pieza base
    NCV1413

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