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Imagen NCV8440STT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NCV8440STT3G

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Especificaciones

Número de pieza

NCV8440STT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NCV8440STT3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.9V @ 100µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

110 mOhm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.69W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 35V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

3.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

59V
Descripción detallada

N-Channel 59V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Ta)

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