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Imagen NDD03N80ZT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDD03N80ZT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NDD03N80ZT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NDD03N80ZT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.5 Ohm @ 1.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

96W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NDD03N80ZT4G-ND
NDD03N80ZT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A (Tc)

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