5592016

NDS7002A_NB9GGTXA

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Especificaciones

Número de pieza

NDS7002A_NB9GGTXA
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.NDS7002A_NB9GGTXA.pdf
2.NDS7002A_NB9GGTXA.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23 (TO-236AB)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

300mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 280mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

280mA (Ta)

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Envío
Forma de pago

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31/03/2025

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NDS8852H

Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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