NDS8958

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Especificaciones

Número de pieza

NDS8958
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NDS8958.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.8V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

35 mOhm @ 5.3A, 10V
Potencia - Max

900mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

NDS8958CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.3A, 4A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A, 4A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Descripción: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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