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4742779Imagen NGTB25N120FL3WGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB25N120FL3WG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NGTB25N120FL3WG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 100A TO247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NGTB25N120FL3WG.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 25A
  • Condición de prueba
    600V, 25A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    15ns/109ns
  • Cambio de Energía
    1mJ (on), 700µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247-3
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    114ns
  • Potencia - Max
    349W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    NGTB25N120FL3WGOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    42 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    136nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 1200V 100A 349W Through Hole TO-247-3
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    100A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100A

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Descripción: IGBT 20A 1200V TO-247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
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Descripción: IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
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Descripción: IGBT 1200V 20A TO247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 1200V 20A TO247

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Descripción: IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

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Descripción: IGBT 1200V 60A 534W TO247

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 1200V 25A TO247-3

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Descripción: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 1200V 30A TO247

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