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NGTB75N65FL2WAG

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Especificaciones

Número de pieza

NGTB75N65FL2WAG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NGTB75N65FL2WAG.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A
Condición de prueba

400V, 75A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

23ns/157ns
Cambio de Energía

610µJ (on), 1.2mJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-247-4L
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

90ns
Potencia - Max

536W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-4
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Field Stop
puerta de carga

310nC
Descripción detallada

IGBT Field Stop 650V 200A 536W Through Hole TO-247-4L
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

200A
Corriente - colector (Ic) (Max)

200A

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