NID9N05ACLT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NID9N05ACLT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NID9N05ACLT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 9A, 12V
La disipación de energía (máximo)

1.74W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NID9N05ACLT4GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 12V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

52V
Descripción detallada

N-Channel 52V 9A (Ta) 1.74W (Ta) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

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