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Imagen NLAS3799BMNR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NLAS3799BMNR2G

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Especificaciones

Número de pieza

NLAS3799BMNR2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SWITCH DUAL DPDT 16WQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NLAS3799BMNR2G.pdf
Suministro de voltaje, Sencilla (V +)

1.65 V ~ 4.5 V
Alimentación de voltaje, Dual (V ±)

-
Tiempo de conmutación (Ton, Toff) (máx.)

50ns, 30ns
Circuito de interruptores

DPDT
Paquete del dispositivo

16-WQFN (1.8x2.6)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

16-WFQFN
Otros nombres

NLAS3799BMNR2G-ND
NLAS3799BMNR2GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Resistencia en el estado (Max)

400 mOhm
Número de circuitos

2
Circuito Multiplexor / Demultiplexor

2:2
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

2 Circuit IC Switch 2:2 400 mOhm 16-WQFN (1.8x2.6)
Corriente - Fuga (IS (apagado)) (Máx.)

500nA
Crosstalk

-90dB @ 100kHz
Inyección de Carga

51pC
Comparación de canal a canal (ΔRon)

50 mOhm (Max)
Capacitancia del canal (CS (apagado), CD (apagado))

3pF
Número de pieza base

NLAS3799B
Ancho de banda de -3 dB

19MHz

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