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1159471Imagen NP1800SBT3GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NP1800SBT3G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NP1800SBT3G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    THYRISTOR 170V 80A SMB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NP1800SBT3G.pdf
  • Tensión - En estado
    4V
  • Tensión - Estado Off
    170V
  • Tensión - irrupción
    220V
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AA, SMB
  • Número de elementos
    1
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    80A
  • Corriente - Hold (Ih)
    150mA
  • Capacidad
    59pF

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Descripción: TRANSISTOR

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: THYRISTOR 170V 100A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: MOSFET N-CH 55V 180A TO-263

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7

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Descripción: THYRISTOR 170V 50A SMB

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: TRANSISTOR

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: MOSFET N-CH 55V 160A TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7

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Descripción: THYRISTOR 170V 400A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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