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Imagen NRVB8H100MFST3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NRVB8H100MFST3G

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Especificaciones

Número de pieza

NRVB8H100MFST3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NRVB8H100MFST3G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

900mV @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
Descripción detallada

Diode Schottky 100V 8A Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Fuga inversa a Vr

2µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io)

8A
Capacitancia Vr, F

-

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