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1324666Imagen NRVHPD660T4GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NRVHPD660T4G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NRVHPD660T4G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NRVHPD660T4G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    3V @ 6A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    50ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    9 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 6A Surface Mount DPAK
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    30µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    6A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Descripción: DIODE ULT FAST 3A 200V SO8FL

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Descripción: 200V/4A PUF DFN-8

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