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Imagen NRVUD550PFT4G-VF01

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NRVUD550PFT4G-VF01

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Especificaciones

Número de pieza

NRVUD550PFT4G-VF01
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 520V 5A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NRVUD550PFT4G-VF01.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.15V @ 5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

520V
Paquete del dispositivo

DPAK
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

SWITCHMODE™
Tiempo de recuperación inversa (trr)

95ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NRVUD550PFT4G
NRVUD550PFT4G-ND
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 520V 5A Surface Mount DPAK
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 520V
Corriente - rectificada media (Io)

5A
Capacitancia Vr, F

-

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