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Imagen NSBA114YDXV6T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA114YDXV6T1G

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Especificaciones

Número de pieza

NSBA114YDXV6T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSBA114YDXV6T1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

SOT-563
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

500mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

NSBA114YDXV6T1GOS
NSBA114YDXV6T1GOS-ND
NSBA114YDXV6T1GOSTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

NSBA1*

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