NSBC115EPDXV6T1G

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Especificaciones

Número de pieza

NSBC115EPDXV6T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

SS SOT563 RSTR XSTR TR
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NSBC115EPDXV6T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

SOT-563
Serie

Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base del emisor (R2)

100 kOhms
Resistor - Base (R1)

100 kOhms
Potencia - Max

357mW
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

52 Weeks
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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