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3405529Imagen NSDEMN11XV6T5AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSDEMN11XV6T5

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NSDEMN11XV6T5
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    NSDEMN11XV6T5.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 100mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    80V
  • Paquete del dispositivo
    SOT-563
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    4ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-563, SOT-666
  • Otros nombres
    NSDEMN11XV6T5OS
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    2 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA (DC) Surface Mount SOT-563, SOT-666
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100nA @ 70V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    100mA (DC)
  • Número de pieza base
    MN11

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Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563

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