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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > NSS1C200MZ4T3G

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Imagen NSS1C200MZ4T3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSS1C200MZ4T3G

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Especificaciones

Número de pieza

NSS1C200MZ4T3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 100V 2A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSS1C200MZ4T3G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

220mV @ 200mA, 2A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

-
Potencia - Max

800mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

120MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 120MHz 800mW Surface Mount SOT-223
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

2A
Número de pieza base

NSS1C200

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