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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > NSS60601MZ4T1G
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2303665Imagen NSS60601MZ4T1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSS60601MZ4T1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NSS60601MZ4T1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 60V 6A SOT-223
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NSS60601MZ4T1G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    60V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 600mA, 6A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    800mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-261-4, TO-261AA
  • Otros nombres
    NSS60601MZ4T1G-ND
    NSS60601MZ4T1GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    100MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1A, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    6A
  • Número de pieza base
    NSS60601

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Descripción: TRANS NPN 40V 3A SOT223

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Descripción: TRANS PNP 60V 6A SOT-223

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