NST65010MW6T1G

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Especificaciones

Número de pieza

NST65010MW6T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NST65010MW6T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

65V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor

2 PNP (Dual)
Paquete del dispositivo

SC-88 (SOT-363)
Serie

-
Potencia - Max

380mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

NST65010MW6T1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88 (SOT-363)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

15nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NST65010MW6T1G".

NST65011MW6T1G

Descripción: TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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