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Imagen NSVBAS21SLT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVBAS21SLT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NSVBAS21SLT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSVBAS21SLT1G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.25V @ 200mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

250V
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

50ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

NSVBAS21SLT1G-ND
NSVBAS21SLT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

36 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 250V 225mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Fuga inversa a Vr

100µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

225mA (DC)
Capacitancia Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

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