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Imagen NSVDTA114YM3T5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVDTA114YM3T5G

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Especificaciones

Número de pieza

NSVDTA114YM3T5G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSVDTA114YM3T5G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SOT-723
Serie

Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

260mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-723
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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