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Imagen NSVEMC2DXV5T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVEMC2DXV5T1G

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Especificaciones

Número de pieza

NSVEMC2DXV5T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN/PNP 50V BIPOLAR SOT553
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSVEMC2DXV5T1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Paquete del dispositivo

SOT-553
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Potencia - Max

500mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-553
Otros nombres

NSVEMC2DXV5T1G-ND
NSVEMC2DXV5T1GOSTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-553
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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