NSVMMUN2112LT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NSVMMUN2112LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSVMMUN2112LT1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Potencia - Max

246mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

NSVMMUN2112LT1G-ND
NSVMMUN2112LT1GOSTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

36 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NSVMMBT5401LT3G

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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