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1572914Imagen NSVMUN531335DW1T3GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T3G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NSVMUN531335DW1T3G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NSVMUN531335DW1T3G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    47 kOhms, 47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms, 2.2 kOhms
  • Potencia - Max
    385mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    40 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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