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896294Imagen NTAT6H406NT4GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTAT6H406NT4G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTAT6H406NT4G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    NCH 80V 175A 2.9MOHM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    NTAT6H406NT4G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    ATPAK
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.9 mOhm @ 50A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    90W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    42 Weeks
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    8040pF @ 40V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    N-Channel 80V 175A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount ATPAK
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    175A (Ta)

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