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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > NTB35N15T4G

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4935645

Imagen NTB35N15T4G

ON Semiconductor

NTB35N15T4G

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Especificaciones

Número de pieza

NTB35N15T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTB35N15T4G.pdf
Voltaje - Prueba

3200pF @ 25V
Tensión - Desglose

D2PAK
VGS (th) (Max) @Id

50 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (Max)

10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs

37A (Ta)
Polarización

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

NTB35N15T4GOS
NTB35N15T4GOS-ND
NTB35N15T4GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

25 Weeks
Número de pieza del fabricante

NTB35N15T4G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

100nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 150V 37A (Ta) 2W (Ta), 178W (Tj) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

150V
relación de capacidades

2W (Ta), 178W (Tj)

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