NTB5405NT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NTB5405NT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTB5405NT4G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5.8 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta), 150W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

NTB5405NT4GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

25 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 32V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

88nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 116A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

116A (Tc)

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NTB5605PG

Descripción: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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