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Especificaciones

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NTBV45N06LT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
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Descripción

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

28 mOhm @ 22.5A, 5V
La disipación de energía (máximo)

2.4W (Ta), 125W (Tj)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 45A (Ta) 2.4W (Ta), 125W (Tj) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Ta)

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