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Imagen NTD18N06-001

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD18N06-001

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Especificaciones

Número de pieza

NTD18N06-001
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTD18N06-001.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta), 55W (Tj)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

NTD18N06-001OS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta)

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