NTD23N03RT4

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Especificaciones

Número de pieza

NTD23N03RT4
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTD23N03RT4.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

45 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NTD23N03RT4OSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.76nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Ta), 17.1A (Tc)

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