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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > NTD32N06L-001

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Imagen NTD32N06L-001

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD32N06L-001

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Especificaciones

Número de pieza

NTD32N06L-001
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTD32N06L-001.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

28 mOhm @ 16A, 5V
La disipación de energía (máximo)

1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

NTD32N06L-001OS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

50nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Ta)

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