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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > NTD4806NA-1G

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Imagen NTD4806NA-1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4806NA-1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTD4806NA-1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

6 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2142pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 11.3A (Ta), 79A (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11.3A (Ta), 79A (Tc)

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