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Imagen NTD4809NHT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4809NHT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NTD4809NHT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTD4809NHT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

9 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.3W (Ta), 52W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NTD4809NHT4G-ND
NTD4809NHT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2155pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.6A (Ta), 58A (Tc)

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