NTD4856N-1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTD4856N-1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTD4856N-1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.7 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.33W (Ta), 60W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2241pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 1.33W (Ta), 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13.3A (Ta), 89A (Tc)

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