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5233611Imagen NTD85N02R-1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD85N02R-1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTD85N02R-1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NTD85N02R-1G.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    I-PAK
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5.2 mOhm @ 20A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2050pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    17.7nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    24V
  • Descripción detallada
    N-Channel 24V 12A (Ta), 85A (Tc) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta), 85A (Tc)

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