NTE4151PT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTE4151PT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTE4151PT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-89-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

360 mOhm @ 350mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

313mW (Tj)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-89, SOT-490
Otros nombres

NTE4151PT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

37 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

156pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 760mA (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount SC-89-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

760mA (Tj)

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Descripción: DC DC CONVERTER 9V 1W

Fabricantes: Murata Power Solutions

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