NTHD3100CT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTHD3100CT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTHD3100CT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

ChipFET™
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Potencia - Max

1.1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

NTHD3100CT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

46 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 3.2A
Número de pieza base

NTHD3100C

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NTHD3100CT1

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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