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Imagen NTMFS4841NHT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFS4841NHT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFS4841NHT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTMFS4841NHT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

7 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

870mW (Ta), 41.7W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN, 5 Leads
Otros nombres

NTMFS4841NHT1G-ND
NTMFS4841NHT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2113pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

33nC @ 11.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 8.6A (Ta), 59A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.6A (Ta), 59A (Tc)

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