NTMS10P02R2

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Especificaciones

Número de pieza

NTMS10P02R2
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTMS10P02R2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

14 mOhm @ 10A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

NTMS10P02R2OSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3640pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Ta)

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NTMKE4891NT1G

Descripción: MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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